2020年04月20日 16:47
来源: 与非网
台积电终于披露了 3nm 工艺的细节,在 3nm 节点上,晶体管密度将达到每平方毫米 2.5 亿个。
台积电首席执行官确认 3nm 节点的开发正在按计划进行,计划于 2021 年进行风险生产,并于 2022 年下半年开始批量生产。此外,台积电决定 3nm 采用 FinFET 晶体管技术。
作为参考,采用台积电 7nm EUV 工艺的麒麟 990 5G 尺寸 113.31mm,晶体管密度 103 亿,平均下来是 0.9 亿 /mm,这也意味着 3nm 制程工艺的晶体管密度将是 7nm 的 3.6 倍。这个密度形象化比喻一下,就是将奔腾 4 处理器缩小到针头大小。
性能方面,台积电 5nm 相对于 7nm 提升 15%,能耗比提升 30%;而 3nm 较 5nm 性能提升 7%,能耗比提升 15%。
此外,台积电表示 3nm 工艺研发符合预期,且并未受到疫情影响,预计在 2021 年进入风险试产阶段,2022 年下半年量产。不过,3nm 首发依然会是 FinFET 技术,因为台积电在评估多种技术之后认为 FinFET 工艺在成本及能效上表现更佳。
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